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加拿大阿尔伯塔大学电子计算系abdulhakem y. elezzabi招博士生与博士后，光学与光电子器件方向，具体见广告文档，有兴趣的朋友请联系相应电子邮件。

导师与课题组相关链接：
http://www.ece.ualberta.ca/~elezzabi/
https://baike.baidu.com/item/%e8 ... b%e5%ad%90%e4%bd%93

phd position in terahertz (thz) spintronic materials and devices (ref # pg1)

location: ultrafast optics and nanophotonics laboratory
university of alberta, canada

太赫兹 (thz) 频率范围介于电磁频谱的微波和红外区域之间。由于难以产生太赫兹辐射，太赫兹频率区域传统上被称为太赫兹间隙。然而，我们目前见证了一个新时代的曙光，我们在产生这种辐射以及探测、操纵和描述时域物质的能力方面取得了突破。虽然太赫兹辐射传感、成像和通信是非常强大的应用，但由于缺乏集成良好的紧凑平台，它们目前要么未得到充分利用，要么被疏远。

该博士项目旨在探索铁磁（fm）/非磁（nm）异质结构中的自旋电荷转换，以实现自旋电子宽带太赫兹发射器。申请人应具有光学和光子学、磁性和自旋电子材料方面的良好背景以及良好的实验技能。博士候选人可以使用阿尔伯塔大学纳米制造设施（https://www.nanofab.ualberta.ca/）。如果候选人有太赫兹时域光谱学或太赫兹物理学方面的经验，那将是一个优点。

请将您的申请寄至：
教授。abdul elezzabi：   elezzabi@ece.ualberta.ca   (+1) 780-492-2363


用于极端光限制和应用的电介质和无金属太赫兹 (thz) 等离子体激元 (ref # pg2)位置：加拿大阿尔伯塔 大学

超快光学和纳米光子学实验室 太赫兹无源和有源元件片上集成器件太赫兹频率（0.1-10 thz）内的电磁辐射的检测和操纵正受到高度追捧，以开发用于国防、安全应用、化学传感、隐蔽人群筛选和情报收集的新兴利基技术。然而，这样的壮举遇到了一些挑战，将技术从实验室环境带到现场进行实际实施。




博士项目旨在探索：使用太赫兹时域光谱 (thz-tds) 和光泵探针时间分辨测量的新兴高掺杂 iv 晶体硅半导体材料的太赫兹特性，无源硅半导体无源和有源太赫兹的开发器件，以及用于太赫兹化学传感和通信的各种 gesn、sigesn 和 gesn/sigesn 异质结构等离子体无源和有源器件的制造和表征。申请人应具有光学与光子学、纳米加工、半导体材料方面的良好背景以及良好的实验技能。博士候选人可以使用阿尔伯塔大学纳米制造设施（https://www.nanofab.ualberta.ca/）。  如果候选人有太赫兹时域光谱学或太赫兹物理学方面的经验，那将是一个优点。

请将您的申请寄至：
教授。abdul elezzabi:   elezzabi@ece.ualberta.ca   (+1) 780-492-2363


非线性纳米等离子体的博士职位 (ref # pg3)地点：加拿大阿尔伯塔 大学的 超快

光学和纳米光子学实验室超短脉冲的发展，具有宽光谱带宽和高峰值强度。当这些脉冲与非线性等离子体材料相互作用时，高峰值功率和大带宽的结合为新型非线性光谱效应和潜在应用开辟了新的可能性。




该博士项目旨在探索：基于硅的纳米等离子体非线性相干光的产生，金属和非线性介质中的强场驱动光-物质相互作用，以及纳米等离子体光控制和电荷传输的操纵。博士候选人可以使用阿尔伯塔大学纳米制造设施（https://www.nanofab.ualberta.ca/）。  

请将您的申请寄至：
教授。abdul elezzabi:   elezzabi@ece.ualberta.ca   (+1) 780-492-2363


用于极端光限制和应用的电介质和无金属太赫兹 (thz) 等离子体激元的博士后职位 (ref # pg2)

地点：超快光学和纳米光子学实验室
加拿大阿尔伯塔大学

学制：1-3年

职位概要：电气和计算机工程系的超快光学和纳米光子学实验室正在寻找太赫兹光-物质相互作用和材料表征领域的博士后。

该研究计划的重点是使用高折射率和高掺杂半导体材料对太赫兹光进行表征和操纵。具体来说，(1) 研究用于在 cmos 平台上对 gesn、siges 和 gesn/sigesn 异质结构进行有源电学和光学控制的全电介质频率选择表面，(2) 各种 gesn、sigesn 和 gesn/sigesn 异质结构的制造和表征用于太赫兹化学传感和通信的异质结构等离子体无源和有源器件，(3) 制造和表征 gesn、siges 和 gesn/siges 异质结构等离子体波导，(4) 小型化和集成基于太赫兹 sigesn 半导体的组件（例如频率滤波器，分路器、分配器、天线、谐振器、耦合器等），以及（5）预制太赫兹时域光谱。

理想的候选人必须拥有博士学位并具有与太赫兹研究技术相关的工作经验。候选人必须具有电气工程、应用物理学、太赫兹技术或光子学博士学位。如果申请人有太赫兹仪器和太赫兹材料表征方面的经验，将是非常有利的。学位一般不应超过三年。成功的候选人将能够独立领导一个研究团队以实现项目里程碑。

任职者必须是能够领导涉及太赫兹辐射研究和半导体材料技术的多学科研究计划的独立研究人员。成功的候选人将能够独立领导一个研究团队以实现项目里程碑。

申请应包括一封描述他/她的研究兴趣和经验的求职信、一份简历以及三个推荐人的姓名和联系信息。申请应以电子方式提交给：
教授。abdul elezzabi：   elezzabi@ece.ualberta.ca (+1) 780-492-2363

感谢所有申请人的关注；但是，只会联系那些被选中参加面试的人。